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都说MOS管是DC-DC电源电路中最关键的器件之一，究竟DC-DC电源电路该怎么选择MOS管？别人说FHP170N8F3A型号参数是替代STP170N8F7型号参数的好选择，真的是这样吗？ 其实在DC-DC电源电路中，一般都是选用增强型MOSFET作为开关管。而FHP170N8F3A型号MOS管正是N 沟道增强型场效应晶体管，首先从属性就满足作为STP170N8F7型号替换的首要条件。  其次就要看FHP170N8F3A场效应管型号参数： 先看最核心的电流、电压参数，170N8F3A场效应管的最高漏极－源极直流电压为85V，在TC=25℃（Silicon Limited）下，其连续漏极电流为185A，在TC=25℃（Package Limited）下，其连续漏极电流为120A，在TC=100℃下，其连续漏极电流为117.2A。 最大脉冲漏极电流（IDM ）：480（A）；静态导通电阻（typ）：VGS=10V则为2.95mΩ；反向传输电容：97pF。 通过以上参数，相信电子工程师已经明白其使用的需求了，一般使用过程中有疑问的话，我们的产品工程师都会跟厂家共同测试解决。  FHP170N8F3A稳定的供应可难不倒已经专注研发生产20年的飞虹MOS管生产厂家，它作为MOS管源头厂家生产的产品，是可以稳定生产提供替换STP170N8F7型号参数的场效应管。 除以上的优点外，FHP170N8F3A场效应管还采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻，飞虹产品具有宽泛的BV电压，快速的开关能力和优异的抗短路性能，TO-220产品广泛应用于各类DC/DC电源,DC-AC逆变器,AC-DC开关电源，储能电源，园林工具和BLDC电机驱动等。TO-263产品广泛使用在各类锂电池保护板上；  选择可替代STP170N8F7、IPP037N08N3G型号参数的场效应管，飞虹半导体已获得实用专利及发明15项，并与中山大学、中科院合作研发GaN器件。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹电子”即可找到我们，免费试样热线：400-831-6077。 | |
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